力合创投今日官微发布消息，称旗下在孵企业瑞波光电已经推出具备自主核心技术的低温漂65W、135W、165W 905nm芯片系列，这是新一代3J和4J的产品。据悉，这款激光雷达发射芯片供应商的波长随温度变化系数小于0.09nm/K，部分型号能达到0.06nm/K，其温度漂移特性已经接近甚至优于VCSEL芯片，填补了国内相应领域的空白，也对VCSEL的竞争优势造成了一定程度的削弱。值得一提的是，瑞波905nm EEL激光雷达发射芯片在过去一年通过了车规AEC-Q102里的四项测试项目，包括HTOL、WHTOL、PTC和ESD-HBM。目前，瑞波光电已经与国内许多知名激光雷达厂商展开深度合作，并已经实现批量应用。