据科技日报报道,美国麻省理工学院的一个跨学科团队开发出了一种低温生长工艺,能够在硅芯片上直接“生长”二维过渡金属二硫化物(TMD)材料层,从而实现更加密集的集成,让芯片密度更高、功能更强大。相关论文已经发表在最新一期的《自然·纳米技术》杂志上。这项技术绕过了之前存在的高温和材料传输缺陷等问题,缩短了生长时间,并且允许在较大的8英寸晶圆上形成均匀的层,因此成为商业应用的理想选择。