长飞先进半导体第三代功率器件落地光谷

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根据消息,这个项目将在武汉市东湖高新区建设第三代半导体功率器件研发生产基地。项目的总投资预计超过200亿元,其中一期的总投资为100亿元。该基地将年产36万片SiC MOSFET晶圆,涵盖外延、器件设计、晶圆制造和封装等环节。

这个合作协议的签署将对武汉市的半导体产业发展起到积极推动作用。长飞先进是一家专注于半导体器件研发生产的企业,其参与这个项目有助于提升武汉市在半导体领域的技术水平和产能。

第三代半导体功率器件是近年来发展迅猛的高新技术产业,具有能耗低、效率高、耐高温等优势,被广泛应用于电动车、光伏发电和工业领域。通过投资建设该生产基地,武汉市将能够满足国内市场对于这类高性能功率器件的需求,并进一步加强我国在全球半导体产业中的竞争力。

这个项目的启动对于武汉市乃至整个中国的半导体产业来说都是一个重要的里程碑,也将进一步推动中国在半导体技术和产业方面的发展。

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