日本研发出半导体基板平整加热方法

该团队使用纯电动汽车（EV）等的电力控制来提供所需的功率，并采用碳化硅（SiC）但在截面上容易形成凹凸，因此不能直接使用。在过去，人们通常使用多种方法结合进行磨削，但这种方法存在着可能对内部造成损伤并导致表面出现差异的问题。

通过这项新的加热平整方法，研究团队成功地改善了半导体基板的表面平整度，并减少了内部损伤。这对于半导体制造工艺的改进具有重要意义。