在2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上,中国工程院院士丁荣军指出,第三代半导体技术以碳化硅为代表已经开始应用,并具有很大的性能和市场潜力。他预测,在未来的十年里,这项技术将以年复合20%以上的速度快速增长。丁荣军还表示,考虑到电动汽车的应用驱动、性价比权衡以及消费者习惯等因素,Si-IGBT仍将是功率半导体器件的主流,与碳化硅功率器件将长期共存。